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AO4410-GK
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
- 描述
- 1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- AO4410-GK
- 商品编号
- C42402297
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.179167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.116nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO4410 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 AO4410 符合 RoHS 和绿色产品要求,100%经过耐雪崩能力(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。 超低栅极电荷 100%耐雪崩能力(EAS)保证 提供绿色环保器件 出色的 CdV/dt 效应抑制 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 100%保证易雪崩特性（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术