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2SK3541-GK
1个N沟道 耐压:30V 电流:200mA
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 2SK3541-GK
- 商品编号
- C42402303
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 313mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- 漏源极电压（VDSS） = 650 V
- 漏极电流（ ID） = 20 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时的导通电阻（RDS(ON)），最大值 = 0.5 Ω
- 快速开关
- 低栅极电荷
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路