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AO4435-GK
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
- 描述
- 1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- AO4435-GK
- 商品编号
- C42402298
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1757克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 278pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AO4435是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 AO4435符合RoHS和绿色产品要求,通过全功能可靠性认证,100%保证易雪崩特性(EAS)。
商品特性
- 100%保证易雪崩特性(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路