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HGS0650111LTR

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描述: 这款氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）拥有650V的漏源电压VDSS，导通电阻RDON为160mΩ，最大连续漏极电流ID可达10A。它支持-1.4V至+7V的栅源电压范围，并且是N沟道类型。该器件适用于需要高效能和快速响应的应用场合，如消费电子、电源管理和通信设备中，能够提供出色的开关速度与较低的能量损耗，确保系统运行更加稳定可靠。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HGS0650111LTR
商品编号: C42389176
商品封装: DFN-8(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.42克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	1个N沟道

	属性	参数值
	漏源电压(Vdss)	650V
	导通电阻(RDS(on))	160mΩ@6V