温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SL15P10D
P沟道MOSFET
- 描述
- 特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 低导通电阻和品质因数。 极低的开关损耗。 出色的稳定性和均匀性。应用：电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL15P10D
- 商品编号
- C42380658
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3688克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
BSS84AK,215(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 BSS84AK,215(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 低导通电阻(RDS(on))与品质因数(FOM)
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和均匀性
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备