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SL2101W
-20V/-2A P沟道MOSFET
- 描述
- 特性：领先的沟槽技术，实现低RDS(on)，延长电池寿命。应用：高端负载开关。充电电路
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL2101W
- 商品编号
- C42380676
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 327pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进技术和设计，在低栅极电荷条件下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品BSS84PH6327(ES)为无铅产品。
商品特性
- 采用领先的沟槽技术实现低导通电阻RDS(on)
- 延长电池使用寿命
应用领域
- 高端负载开关
- 充电电路
- 单节电池应用,如手机、数码相机、个人数字助理(PDA)等
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