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BSS84,215(ES)
1个P沟道 耐压:60V 电流:0.2A
- 描述
- 带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- BSS84,215(ES)
- 商品编号
- C42379932
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0345克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 17pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
BSS84,215(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品BSS84,215(ES)为无铅产品。
商品特性
- 60V，栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 3.5Ω（典型值）；栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 4.5Ω（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换