DMG3415U-7(ES)
带ESD保护,P沟道,-20V,-4.9A,30mΩ@-4.5V,-4.0A,-0.7V@250uA;应用领域:苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 带ESD保护,类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-4.9A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@-4.5V,-4.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@250uA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMG3415U-7(ES)
- 商品编号
- C42379950
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0307克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V;36mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
商品特性
- 20V,VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 30 mΩ(典型值)
- VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 36 mΩ(典型值)
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换
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- SS-0822SL-10R2BB
- UL2464/16AWG 2C BLack
- UL2464/28AWG 3C BLack
- TNR252010S-100MTF
- TNR252010S-2R2MTF
- TNR252010S-2R2NTF
- TNR252010S-3R3MTF
