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DMG3415U-7(ES)

带ESD保护,P沟道,-20V,-4.9A,30mΩ@-4.5V,-4.0A,-0.7V@250uA;应用领域:苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

描述
带ESD保护,类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-4.9A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@-4.5V,-4.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@250uA
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
DMG3415U-7(ES)
商品编号
C42379950
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0307克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.9A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@4.5V;36mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.39W
阈值电压(Vgs(th))700mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)750pF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-
配置-
类型P沟道

商品概述

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

商品特性

  • 20V,VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 30 mΩ(典型值)
  • VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 36 mΩ(典型值)
  • 快速开关
  • 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
  • 材料:无卤
  • 可靠耐用
  • 雪崩额定
  • 低漏电流

应用领域

-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换

数据手册PDF