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SCB13H4G160AF-11MI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SCB13H4G160AF-11MI

4Gbit DDR3L 同步动态随机存取存储器

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私有库下单最高享92折
描述
建议使用前先进行烘烤
商品型号
SCB13H4G160AF-11MI
商品编号
C42379871
商品封装
PG-TFBGA-96​
包装方式
编带
商品毛重
1.475克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)DDR3L SDRAM
时钟频率(fc)933MHz
存储容量4Gbit
工作电压1.283V~1.45V
属性参数值
工作电流-
刷新电流-
工作温度-40℃~+95℃
功能特性写入均衡功能;自动自刷新;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;动态片上端接;数据掩码功能

商品特性

  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283V 至 1.45V),向后兼容 VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
  • 支持 DDR3L 器件在 1.5V 应用中向后兼容
  • 数据速率:1600 Mbps / 1866 Mbps / 2133 Mbps
  • 双向差分数据选通
  • 8n 位预取架构
  • 差分时钟输入 (CK, CKB)
  • 8 个内部存储体
  • 数据、选通和掩码信号的标称与动态片内终端匹配
  • 可编程列地址选通读取延迟
  • 可编程列地址选通写入延迟
  • 通过模式寄存器组设置固定突发长度为 8 或突发截断为 4
  • 支持突发截断 4 或突发长度 8 的动态切换
  • 自刷新模式
  • 工作温度范围:0°C 至 +95°C
  • 在 0°C 至 +85°C 下,64ms 内完成 8192 次刷新
  • 在 +85°C 至 +95°C 下,32ms 刷新
  • 自刷新温度范围
  • 自动自刷新
  • 写入均衡
  • 多用途寄存器
  • 输出驱动器校准
  • 配置选项:512 兆位 × 8 或 256 兆位 × 16
  • 封装选项:适用于 ×8 配置的 78 球 FBGA 封装 (10.6mm × 7.5mm);适用于 ×16 配置的 96 球 FBGA 封装 (13.5mm × 7.5mm)
  • 时序 - 周期时间:DDR3-2133 下 938ps (CL = 14);DDR3-1866 下 1.07ns (CL = 13);DDR3-1600 下 1.25ns (CL = 11)
  • 工作温度:商业级 (0°C ≤ TC ≤ +95°C),工业级 (-40°C ≤ TC ≤ +95°C)

数据手册PDF