- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SCB13H4G800AF-11M
SCB13H4G800AF-11M
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 建议使用前先进行烘烤
- 品牌名称
- Unilc(紫光国芯)
- 商品型号
- SCB13H4G800AF-11M
- 商品编号
- C42379876
- 商品封装
- TFBGA-78
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.35V（1.283V - 1.45V）
- 向后兼容 VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- 支持 DDR3L 设备在 1.5V 应用中向后兼容
- 数据速率：1600Mbps/1866Mbps/2133Mbps
- 差分双向数据选通
- 8n 位预取架构
- 差分时钟输入（CK、CKB）
- 8 个内部存储体
- 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终端（ODT）
- 可编程 CAS（读取）延迟（CL）
- 可编程后置 CAS 附加延迟（AL）
- 可编程 CAS（写入）延迟（CWL）
- 通过模式寄存器组（MRS）设置固定突发长度（BL）为 8 和突发截断（BC）为 4
- 可动态选择 BC4 或 BL8
- 自刷新模式
- 工作温度范围 0°C 到 +95°C
- 在 0°C 到 +85°C 时，64ms 内进行 8192 次刷新
- 在 +85°C 到 +95°C 时，32ms 内进行刷新
- 自刷新温度（SRT）
- 自动自刷新（ASR）
- 写入电平调整
- 多功能寄存器
- 输出驱动器校准
- 配置选项：
- 512 兆 x 8
- 256 兆 x 16
- FBGA 封装（无铅） - x8
- 78 球（10.6mm x 7.5mm）
- FBGA 封装（无铅） - x16
- 96 球（13.5mm x 7.5mm）
- 时序 - 周期时间：
- 在 CL = 14（DDR3 - 2133）时为 938ps
- 在 CL = 13（DDR3 - 1866）时为 1.07ns
- 在 CL = 11（DDR3 - 1600）时为 1.25ns
- 工作温度：
- 商用级（0°C ≤ TC ≤ +95°C）
- 工业级（-40°C ≤ TC ≤ +95°C）