我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
SP1N30T1实物图
  • SP1N30T1商品缩略图
  • SP1N30T1商品缩略图
  • SP1N30T1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SP1N30T1

耐压:300V 电流:1A

描述
VD MOSFET产品,N沟道,耐压:300V,电流:1A,Rdson:5000mR
品牌名称
Siliup(矽普)
商品型号
SP1N30T1
商品编号
C42372380
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.057克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V
耗散功率(Pd)360mW
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2nC@10V
输入电容(Ciss)59pF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)7.5pF

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个3000个/圆盘

总价金额:

0.00

近期成交9