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碳化硅场效应管(MOSFET)
LGE3M70120J
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LGE3M70120J
LGE3M70120J
描述
商品目录 碳化硅MOS管 ;漏源电压(VDS)1200 V;漏极电流 (ID@25℃)36A;RDS(ON) 68mΩ;耗散功率(PD)192W
品牌名称
LGE(鲁光)
商品型号
LGE3M70120J
商品编号
C42372310
商品封装
TO-263-7
包装方式
编带
商品毛重
2.006克(g)
数据手册
商品参数
资料纠错
参数完善中
商品特性
高阻断电压
高频操作
低导通电阻
具有低反向恢复特性的快速本征二极管
100%雪崩测试
VDS = 1200 V
ID@25℃ = 36A
RDS(ON) = 68mΩ
符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序能力
应用领域
电机驱动
太阳能/风力逆变器
电动汽车充电站
AC/DC转换器
DC/DC转换器
数据手册PDF
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