LGE3M70120J
LGE3M70120J
- 描述
- 商品目录 碳化硅MOS管 ；漏源电压（VDS）1200 V；漏极电流 （ID@25℃）36A；RDS(ON) 68mΩ；耗散功率（PD）192W
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- LGE3M70120J
- 商品编号
- C42372310
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.006克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 高阻断电压
- 高频操作
- 低导通电阻
- 具有低反向恢复特性的快速本征二极管
- 100%雪崩测试
- VDS = 1200 V
- ID@25℃ = 36A
- RDS(ON) = 68mΩ
- 符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序能力
应用领域
- 电机驱动
- 太阳能/风力逆变器
- 电动汽车充电站
- AC/DC转换器
- DC/DC转换器
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