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LGE3M650170B
碳化硅功率MOSFET，高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容
- 描述
- 商品目录 碳化硅MOS管 ；漏源电压（VDS）1700 V；漏极电流 （ID@25℃）7.0A；RDS(ON)650mΩ；耗散功率（PD）62W
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- LGE3M650170B
- 商品编号
- C42372481
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 352.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 194pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ |