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SP2012CNJ
中低压N+P型MOSFET
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- 描述
- N+P MOSFET产品，耐压：20V，电流：N 20A/P -19A, Rdson：N 15mR/P 25mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP2012CNJ
- 商品编号
- C42372336
- 商品封装
- PDFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 出色的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷
应用领域
- 电桥
- 逆变器