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SP6012BCTM
中低压N+P型MOSFET N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:45A
- 描述
- N+P MOSFET产品，耐压：60V,电流：N 35A/P -45A,Rdson:N 15mR/P 22mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP6012BCTM
- 商品编号
- C42372338
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A；45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V；22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA；1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V；63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.403nF；2.588nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF；106pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF；110pF |
商品概述
WST3416E采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷，并且能在低至1.1V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供环保型器件
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步小功率开关-网络DC-DC电源系统-负载开关