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AOSP21321(UMW)
-30V P沟道MOSFET
- 描述
- 1个P沟道，VDS:-30V,ID=-14A,RDS(ON):11.5mΩ(-10V,ID=-14A)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AOSP21321(UMW)
- 商品编号
- C42165061
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1966克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
-最新先进沟槽技术-低漏源导通电阻(RDS(ON))-高电流承载能力-符合 RoHS 标准且无卤
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 漏极电流（ID） = -11 A（栅源电压（VGS） = -10 V）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 17 mΩ（栅源电压（VGS） = -10 V）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 30 mΩ（栅源电压（VGS） = -4.5 V）