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SIJK5100E-T1-GE3
SIJK5100E-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJK5100E-T1-GE3
- 商品编号
- C42165820
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 536W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 11.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.21nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 领先的导通电阻RDS(on),可最大程度降低传导功率损耗
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
- 标准电平FET
- 增强功率耗散能力,降低结壳热阻RthJC
应用领域
- 同步整流
- 自动化
- 或门和热插拔开关
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池管理