UCC21330CQDRQ1

4A、6A、3kVRMS隔离双通道栅极驱动器

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描述: 是一款具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流，用于驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过3kV有效值隔离屏障与两个输出驱动器隔离，最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为125V/ns。保护功能包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能，以及可抑制短于5ns的输入瞬变的集成去毛刺滤波器。所有电源均具有欠压锁定（UVLO）保护。凭借这些先进特性，该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC21330CQDRQ1
商品编号: C42064801
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.304064克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	驱动配置	半桥
	隔离电压(Vrms)	3000V
	负载类型	MOSFET、IGBT、SiC、GaN
	通道数	2
	输入侧工作电压	3V~5.5V
	拉电流(IOH)	4A
	灌电流(IOL)	6A
	工作温度	-40℃~+150℃

商品概述

UCC21330-Q1是具有可编程死区和宽温度范围的隔离双通道栅极驱动器系列。它设计具备4A峰值源电流和6A峰值灌电流，可驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。UCC21330-Q1可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。输入侧通过3 kV RMS隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)最小为125V/ns。保护功能包括:电阻可编程死区，可同时关断两个输出的禁用功能，以及可滤除宽度小于5ns输入瞬态的集成去毛刺滤波器。所有电源都具有UVLO保护。具备这些特性，UCC21330-Q1器件可在多种电源应用中实现高效率、高功率密度和鲁棒性。

商品特性

可通用配置为双低侧驱动器、双高侧驱动器或半桥驱动器
AEC-Q100合格，器件温度等级为1级
结温范围为-40℃ 至 +150℃
最高提供4A峰值源输出电流、6A峰值灌输出电流
共模瞬态抗扰度(CMTI)大于125V/ns
输出驱动电源VDD最高可达25V，提供5V、8V、12V VDD UVLO选项
典型传播延迟为33ns
最大脉宽失真为5ns
最大VDD上电延迟为10µs
所有电源均具备UVLO保护
用于电源排序的快速关断功能

应用领域

车载电池充电器
高压DC-DC转换器
汽车HVAC、车身电子

	属性	参数值
	上升时间(tr)	8ns
	下降时间(tf)	8ns
	传播延迟 tpLH	33ns
	传播延迟 tpHL	33ns
	静态电流(Iq)	1.4mA
	CMTI(kV/us)	125kV/us
	驱动侧工作电压	13.5V~25V
	功能特性	死区时间控制