温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 234W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC | |
| 输入电容(Ciss) | 687pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 71pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ |
商品概述
这款碳化硅功率MOSFET（型号：SCT055TO65G3）采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的R_DS(on)，同时具有低电容和极高的开关操作，可提高应用在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
商品特性
- 极快且稳健的本征体二极管
- 整个温度范围内极低的R_DS(on)
- 高速开关性能
- 用于提高效率的源极感应引脚
应用领域
- 开关模式电源
- DC-DC转换器