- 引脚图
- 焊盘图
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BUK7J2R4-80MX
N沟道 80V 231A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7J2R4-80MX
- 商品编号
- C41839675
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 231A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.385nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用最新的沟槽14低欧姆分裂栅技术的汽车级N沟道MOSFET,具备超低RDS(ON) 性能,采用LFPAK56E封装。该产品经过全面设计和认证,符合AEC-Q101要求,具备高性能和耐用性。
商品特性
- 完全符合AEC-Q101汽车级标准
- 额定温度达175 °C,适用于对散热要求高的环境
- 沟槽14分裂栅技术:
- 减小单元间距,在相同封装尺寸下实现更低的RDS(ON),提高功率密度和效率
- 具备快速高效的开关性能,阻尼优化,尖峰低
- LFPAK鸥翼引脚:
- 与传统QFN封装不同,在热循环过程中能吸收机械应力,具备高电路板级可靠性
- 可进行可视化(AOI)焊接检查,无需昂贵的X射线设备
- 易于焊接,可形成良好的机械焊点
- LFPAK铜夹技术:
- 提高可靠性,降低 Rth、RDSon 和封装电感
- 提高最大电流承载能力,改善电流分布
应用领域
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 电机、照明和电磁阀控制
- 超高性能功率开关