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TF207N引脚图
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TF207N

SOT-23-3L塑料封装MOSFET,具备低栅极电荷和高功率电流处理能力

品牌名称
TF(拓锋)
商品型号
TF207N
商品编号
C436936
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))500mV
栅极电荷量(Qg)12nC@4.5V
输入电容(Ciss)615pF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 沟槽场效应晶体管功率MOSFET
  • 出色的导通电阻RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • 高功率和电流处理能力
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF