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GAN039-650NTBJ
氮化镓（GaN）场效应晶体管，采用CCPAK1212i倒装封装，结合高压GaN HEMT H2技术和低压硅MOSFET技术，可靠性和性能优越
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- GAN039-650NTBJ
- 商品编号
- C41571513
- 商品封装
- CCPAK1212i
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 144pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ |