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FCD5N60TM
1个N沟道 耐压:650V 电流:4.6A
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- 描述
- SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCD5N60TM
- 商品编号
- C435887
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48484克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 810mΩ@10V,2.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在结温（TJ）为150°C时，耐压650 V
- 典型导通电阻（RDS(on)）为810 mΩ
- 超低栅极电荷（典型栅极电荷Qg = 16 nC）
- 低有效输出电容（典型有效输出电容Coss(eff.) = 32 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED电视和显示器-照明-太阳能逆变器-交流-直流电源