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MIC4452YM-TR

12A 峰值，低端 MOSFET 驱动器

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描述: CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: MIC4452YM-TR
商品编号: C435908
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3克(g)

商品参数

商品概述

MIC4451和MIC4452 CMOS MOSFET驱动器性能可靠、效率高且易于使用。MIC4451是反相驱动器，而MIC4452是非反相驱动器。这两款驱动器均能提供12A（峰值）输出电流，可驱动大型MOSFET，并具有更高的安全工作裕量。MIC4451/4452可接受2.4V至Vs的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动幅度达5V而不损坏器件。此外，还有额外的电路用于防止静电放电造成的损坏。 MIC4451/4452驱动器可替代三个或更多分立元件，减少PCB面积需求，简化产品设计，并降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS结构，保证不会出现闩锁效应。CMOS/DMOS的轨到轨摆幅能力确保在电源上电/断电时序期间为MOSFET提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们的交叉电流非常低，工作温度低，功耗小，且易于驱动。

商品特性

BiCMOS/DMOS结构
抗闩锁：全隔离工艺本质上可避免任何闩锁效应
输入可承受高达5V的负向摆动
匹配的上升和下降时间：25ns
高峰值输出电流：12A峰值
宽工作范围：4.5V至18V
高容性负载驱动能力：62,000pF
低延迟时间：30ns（典型值）
2.4V至Vs的任何电压均可作为逻辑高电平输入
逻辑1输入时低电源电流：450μA
低输出阻抗：1.0Ω
输出电压摆幅可接近GND或Vs至25mV以内
低等效输入电容（典型值）：7pF

应用领域

开关模式电源
电机控制
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
线路驱动器
驱动MOSFET或IGBT并联芯片模块
本地电源通/断开关
脉冲发生器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	12A
	拉电流(IOH)	12A

	属性	参数值
	工作电压	4.5V~18V
	上升时间(tr)	20ns
	下降时间(tf)	24ns
	特性	-
	工作温度	-40℃~+85℃@(Ta)