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NSVBCP56MTWG引脚图
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NSVBCP56MTWG

NPN 电流:1A 电压:80V

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描述
BCP56MTW 专为通用放大器应用而设计。它采用 DFN2020 3 封装,具备卓越的热性能。该晶体管非常适合对电路板空间和可靠性要求较高的中功率表面贴装应用
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NSVBCP56MTWG
商品编号
C41443571
商品封装
WDFNW-3(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE)250
特征频率(fT)140MHz
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN
配置独立式

商品概述

BCP56MTW专为通用放大器应用而设计。它采用DFN2020-3封装,具有卓越的热性能。该晶体管非常适合对电路板空间和可靠性要求较高的中功率表面贴装应用。

商品特性

  • 可焊侧翼封装,便于进行最佳自动光学检测(AOI)
  • 带有NSV前缀,适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准

数据手册PDF