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SiLM27524NCA-DG

双通道、高速、低端栅极驱动器

描述: SiLM27524N系列器件为双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SiLM27524N采用的设计从本质上减少了直通电流，能够为容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，传播延迟极小，典型值为18 ns。在12V VDD电源供电时，SiLM27524N的源极峰值驱动电流能力为4.5 A，漏极峰值驱动电流能力为5.5 A
品牌名称: Sillumin(数明半导体)
商品型号: SiLM27524NCA-DG
商品编号: C41433637
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.365克(g)

商品参数

商品概述

SiLM27524N系列器件为双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SiLM27524N采用的设计从本质上降低了直通电流，能够为容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，传播延迟极小，典型值为18 ns。在12V VDD电源下，SiLM27524N的源极峰值驱动电流能力为4.5 A，漏极峰值驱动电流能力为5.5 A。

商品特性

两个独立的栅极驱动通道
源极峰值电流驱动能力为4.5 A，漏极峰值电流驱动能力为5.5 A
快速传播延迟（典型值18 ns）
快速上升和下降时间（典型值分别为7 ns和6 ns）
单电源范围4.5至20V
欠压锁定
TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值
输入可承受负电压（-5V）
两通道间典型延迟匹配为2 ns
两个输出可并联以获得更高驱动电流
输入浮空时，输出保持低电平
工作温度范围为-40℃至140℃
SOP8封装

应用领域

开关模式电源
直流-直流转换器
电机控制、太阳能电源
新兴宽带隙功率器件（如GaN）的栅极驱动器

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(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)

个

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	5.5A
	拉电流(IOH)	4.5A
	工作电压	4.5V~20V
	上升时间(tr)	7ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	6ns
	传播延迟 tpLH	18ns
	传播延迟 tpHL	18ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+140℃
	输入高电平(VIH)	1.6V~2.3V
	输入低电平(VIL)	1V~1.5V