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AO4407A
P沟道 MOSFET,电流:-12A,耐压:-30V
- 描述
- 特性：Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 电源管理
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- AO4407A
- 商品编号
- C41432291
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护
- 电源管理
- 负载开关