温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOD403
P沟道 耐压:30V 电流:60A
- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(ON)。雪崩电压和电流完全表征。良好的稳定性和均匀性，具有高单脉冲雪崩能量EAS。应用：电池和负载开关。良好散热的出色封装
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- AOD403
- 商品编号
- C41432293
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.988nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 266pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性经过全面表征
- 具有高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
应用领域
- 电池和负载开关
- 封装散热性能出色