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DOB110N15
N沟道 150V 110A
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- 描述
- SGT工艺N管/150V/110A/7mΩ(典型5.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOB110N15
- 商品编号
- C41430581
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.159878克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.928nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 545pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 150 V，漏极电流（ID） = 110 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 7 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 采用散热性能良好的封装