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DOB80N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- N管/60V/80A/7.5mΩ(典型5.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOB80N06
- 商品编号
- C41430583
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.008nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 80 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 7.5 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 采用散热性能良好的优质封装
应用领域
- 电池管理系统（BMS）
- 大电流开关应用