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DO3N10B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DO3N10B

1个N沟道 耐压:100V 电流:3A

描述
N管/100V/3A/280mΩ(典型220mΩ)
商品型号
DO3N10B
商品编号
C41430600
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.2nC@10V
输入电容(Ciss)439pF
反向传输电容(Crss)9pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)13pF

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 20 个)
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