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IDW20G65C5BXKSA2
650V SiC肖特基二极管
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- 描述
- ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。新的、更紧凑的设计与薄晶圆技术相结合，产生了一系列新产品，这些产品在所有负载条件下都提高了效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（QC x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列：这确保了满足该电压范围内最严格的应用要求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IDW20G65C5BXKSA2
- 商品编号
- C3757887
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 共阴极 | |
| 整流电流 | 10A | |
| 正向压降(Vf) | 1.7V@10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 180uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 58A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
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