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IDW30G65C5
650V SiC肖特基二极管
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- 描述
- ThinQ! Generation 5代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。由于更紧凑的设计和薄晶圆技术，新产品系列在所有负载条件下都提高了效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ! Generation 5旨在补充650V CoolMOS系列，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IDW30G65C5
- 商品编号
- C3758220
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 13.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 整流电流 | 30A | |
| 正向压降(Vf) | 1.7V@30A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 220uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 165A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |