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IRFP4227PBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:90A
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- 品牌名称
- OSEN(欧芯)
- 商品型号
- IRFP4227PBF
- 商品编号
- C41416574
- 商品封装
- TO-247S
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.066667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 480W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 410nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 440pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60 V，漏极电流（ID） = -20 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 68 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热性能良好