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MQ2N5116引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MQ2N5116

MQ2N5116

商品型号
MQ2N5116
商品编号
C3753159
商品封装
TO-18​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录结型场效应管(JFET)
数量1个P沟道
栅源截止电压(VGS(off))1V
栅源击穿电压(Vgss)30V
耗散功率(Pd)500mW
导通电阻(RDS(on))175Ω
漏源电流(Idss)5mA
属性参数值
输入电容(Ciss)27pF
工作温度-65℃~+200℃
配置-
输出电容(Coss)-
反向传输电容(Crss)7pF
FET类型P沟道

商品概述

该引线器件提供高可靠性等效版本。该器件采用表面贴装形式,与JEDEC注册的2N5116等效。提供符合RoHS标准的版本(仅商业级)。

商品特性

  • 表面贴装形式与JEDEC注册的2N5116等效
  • 提供符合RoHS标准的版本(仅商业级)

数据手册PDF