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MX2N5115实物图
  • MX2N5115商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX2N5115

MX2N5115

商品型号
MX2N5115
商品编号
C3753163
商品封装
TO-18(TO-206AA)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录结型场效应管(JFET)
数量1个P沟道
栅源截止电压(VGS(off))6V
栅源击穿电压(Vgss)30V
耗散功率(Pd)500mW
导通电阻(RDS(on))100Ω
漏源电流(Idss)15mA
属性参数值
输入电容(Ciss)25pF
工作温度-65℃~+200℃
配置-
输出电容(Coss)-
反向传输电容(Crss)-
FET类型P沟道

商品概述

该引线器件提供高可靠性等效版本。该器件采用表面贴装形式,与JEDEC注册的2N5116等效。提供符合RoHS标准的版本(仅商业级)。

商品特性

  • 表面贴装形式与JEDEC注册的2N5116等效
  • 提供符合RoHS标准的版本(仅商业级)

数据手册PDF