2N5114UB/TR
2N5114UB/TR
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- 2N5114UB/TR
- 商品编号
- C3753176
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 10V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 90mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| FET类型 | P沟道 |
商品概述
该低剖面表面贴装器件适用于高可靠性应用。公司还提供众多其他产品以满足更高和更低的功率电压调节应用需求。
商品特性
- 表面贴装器件,等效于JEDEC注册的2N5114至2N5116系列。
- 低剖面陶瓷表面贴装封装。
- 提供符合RoHS标准的版本。

