2SK1109(2)-A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 80mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 600uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品特性
- 紧凑型封装
- 高正向跨导导纳1000 µS典型值（IDSS = 100 µA）1600 µS典型值（IDSS = 200 µA）
- 包含二极管和G-S间高电阻