温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SP25N50TF
1个N沟道 耐压:500V 电流:25A
- 描述
- VD MOSFET产品，N沟道，耐压：500V，电流：25A,Rdson：210mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP25N50TF
- 商品编号
- C41398771
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.5852克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.468nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 217pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 45 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 16 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好