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6N139SDM

DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

描述: 6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: 6N139SDM
商品编号: C42186
商品封装: SOP-8-2.54mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.934克(g)

商品参数

通道数：1
电压 - 隔离：5000Vrms
电流传输比（最小值）：500% @ 1.6mA
打开 / 关闭时间（典型值）：240ns，1.3μs
输入类型：DC
输出类型：有基极的达林顿晶体管
电压 - 输出（最大值）：18V
电流 - 输出/通道：60mA
电压 - 正向（Vf）（典型值）：1.3V
电流 - DC 正向（If）：20mA
工作温度：-40°C ~ 100°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SMD，鸥翼型
供应商器件封装：8-SMD

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	属性	参数值
	商品目录	逻辑输出光耦
	输入类型	DC
	工作电压	-500mV~18V
	隔离电压(Vrms)	5kV
	CMTI(kV/us)	10kV/us
	CTR-电流传输比	400%
	通道数	1
	工作温度	-40℃~+100℃

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	10us
	传播延迟 tpHL	2us
	输出电流	60mA
	输出电压	0.4V
	正向压降(Vf)	1.3V
	直流反向耐压(Vr)	5V
	正向电流(If)	20mA