温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 172mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = -20V,ID = -3A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 140 mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 172 mΩ
- SOT23封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- P沟道MOSFET