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SW640-VB
1个N沟道,耐压：200V，电流：30A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SW640-VB
- 商品编号
- C41370560
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 175°C结温
- PWM优化
- 100%栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关-N沟道MOSFET
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