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UT2321L-AE3-R-VB实物图
UT2321L-AE3-R-VB商品缩略图
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UT2321L-AE3-R-VB

环保标识
  • 1个P沟道,耐压:-30V,电流:-5.6A

  • 描述

    SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    UT2321L-AE3-R-VB
  • 商品编号

    C41370577
  • 商品封装

    SOT-23
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.145克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)46mΩ@10V,5.6A
功率(Pd)1.6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)500mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11.4nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)1.295nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)130pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

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