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UT2305G-AE3-R-VB
1个P沟道,耐压：-30V，电流：-5.6A
- 描述
- SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UT2305G-AE3-R-VB
- 商品编号
- C41370574
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 用于移动计算
- 负载开关
- 笔记本适配器开关
- DC/DC转换器
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