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STP80NE06-10-VB
1个N沟道,耐压：60V，电流：120A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP80NE06-10-VB
- 商品编号
- C41370529
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 极低的栅漏电荷（Qgd），可降低开关损耗
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 100%进行雪崩测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关