温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STM101N-VB
1个N沟道,耐压：100V，电流：4.2A
- 描述
- SOP8；N—Channel沟道,100V；4.2A；RDS(ON)=124mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STM101N-VB
- 商品编号
- C41370536
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 128mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备-负载开关-电池开关-充电器开关