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STP300NH02L-VB
1个N沟道,耐压：30V，电流：180A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,30V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.7V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP300NH02L-VB
- 商品编号
- C41370547
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 257nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准
应用领域
- 或门(OR-ing)-服务器-直流-直流(DC/DC)