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CHM1273PT-VB
1个N沟道,耐压：60V，电流：4A
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- 描述
- SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=85mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CHM1273PT-VB
- 商品编号
- C41370129
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 表面贴装
- 提供卷带包装形式
- 动态 dV/dt 额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 快速开关
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC