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2SK3325-VB实物图
  • 2SK3325-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2SK3325-VB

1个N沟道,耐压:500V,电流:13A

描述
TO220;N—Channel沟道,500V;13A;RDS(ON)=660mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
商品型号
2SK3325-VB
商品编号
C41370147
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))660mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)81nC@10V
输入电容(Ciss)1.91nF
反向传输电容(Crss)11pF@1V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 沟槽功率MOSFET
  • 最高结温175 °C
  • 极低的栅漏电荷(Qgd)可降低穿越平台电压(Vplateau)时的功率损耗
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 电源-次级同步整流-DC/DC转换器-电动工具-电机驱动开关-DC/AC逆变器-电池管理

数据手册PDF