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IRFB3307ZPBF-VB
1个N沟道,耐压：80V，电流：160A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,80V；160A；RDS(ON)=4.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFB3307ZPBF-VB
- 商品编号
- C41370140
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 121W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 348pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 极低的Qg值可降低穿越平台电压时的功率损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
- 电源
- 次级同步整流
- DC/DC转换器
- 电动工具
- 电机驱动开关
- DC/AC逆变器
- 电池管理